ترانزستور IGBT-XD15H120CX1 هو ترانزستور من نوع Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)، وهو يستخدم عادة في التطبيقات الكهربائية القوية والتحكم في الطاقة.
المواصفات :
1- الجهد العكسي الذي يمكن تحمله (Collector-Emitter Voltage): 1200 فولت.
2- التيار الذي يمكن تحمله (Collector Current): 20 أمبير.
3- المقاومة الداخلية للترانزستور (Collector-Emitter Saturation Voltage): 1.6 فولت.
4- التردد الأقصى للتبديل (Switching Frequency): 20 كيلو هرتز.
5- درجة حرارة التشغيل (Operating Temperature): -40 إلى 150 درجة مئوية.
6- الحد الأقصى للطاقة المسحوبة (Power Dissipation): 250 واط.
الاستخدامات الشائعة:
يمكن استخدام ترانزستور IGBT-XD15H120CX1 في التطبيقات الكهربائية القوية مثل تحكم المحركات الكهربائية، وتحكم في المحولات، والعاكسات، ومصادر الطاقة، والمحولات الجافة، إضافة إلى التطبيقات الصناعية والتحكم في الأجهزة الكهربائية. يتميز هذا الترانزستور بأنه يمكنه التحكم في التيار والجهد بشكل دقيق وفعال، مما يجعله مناسبًا للاستخدام في الدوائر الإلكترونية التي تحتاج إلى تحكم عالي في الطاقة.
Continuous Collector Current (TC=25℃) 30A
Continuous Collector Current (TC=100℃) 15A
Gate-Emitter Voltage±20V
Maximum Power Dissipation (TC=25℃) 245W
Maximum Power Dissipation (TC=100℃) 122W
