ترانزستور MOSFET IRF640N هو ترانزستور من نوع الـ Power MOSFET، وهو يستخدم عادة في الدوائر الإلكترونية القوية والتطبيقات التي تحتاج إلى تحكم عالي في التيار والجهد.
المواصفات :
1- الجهد العكسي الذي يمكن تحمله (Drain-Source Voltage): 200 فولت.
2- التيار الذي يمكن تحمله (Continuous Drain Current): 18 أمبير.
3- المقاومة الداخلية للترانزستور (On-Resistance): 0.18 أوم.
4- التردد الأقصى للتبديل (Switching Frequency): 100 كيلو هرتز.
5- درجة حرارة التشغيل (Operating Temperature): -55 إلى 175 درجة مئوية.
6- الحد الأقصى للطاقة المسحوبة (Power Dissipation): 150 واط.
7-يجب أن يكون الحد الأقصى لبوابة الجهد المصدر: ± 20 فولت.
8-نوع العبوة: TO-220.
9-نوع الترانزستور: قناة N.
الاستخدامات الشائعة:
يمكن استخدام ترانزستور MOSFET IRF640N في العديد من التطبيقات مثل الدوائر الإلكترونية القوية مثل تشغيل المحركات، وتحكم في الإضاءة، وتحكم في محولات الطاقة، وتحكم في الأجهزة الكهربائية الصناعية. كما أنه يمكن استخدامه في تصميم محولات DC-DC وتحويلات الطاقة بالإضافة إلى الدوائر الإلكترونية الأخرى التي تحتاج إلى تحكم عالي في التيار والجهد.
